特許

J-GLOBAL ID：200903028531353509

半導体装置の寿命推定方法および信頼性シミュレーション方法

発明者： 小池 典雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192946
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016247
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 ホットキャリア劣化率が最大となる条件での寿命を精度よく推定し、実使用時の寿命を精度良く推定できる、半導体装置の寿命推定方法、及び少数のトランジスタを用いて、短期間でホットキャリア寿命パラメータを求めることを可能とする信頼性シミュレーション方法を提供する。【解決手段】 τを寿命、Isubを基板電流、Idをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ ∝ Isub-m・Idm-2 の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、MOSトランジスタのホットキャリア寿命を推定する。また、MOSトランジスタのホットキャリア劣化をシミュレーションする際に、tを時間として、MOSトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[Isubm・Id2-m]dt の特徴を持ったモデル式により計算する。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタのホットキャリア寿命推定をする際に、τを寿命、Isubを基板電流、Idをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ ∝ Isub-m・Idm-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定することを特徴とする半導体装置の寿命推定方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  G01R 31/26 ,  H01L 29/00

FI (3件)：

G01R 31/26 B ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78 301 Z

Fターム (8件)：

2G003AA02 ,  2G003AB01 ,  2G003AC08 ,  2G003AE01 ,  2G003AF06 ,  2G003AH05 ,  5F040DA17 ,  5F040EA00