特許
J-GLOBAL ID：200903028532156863
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013565
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217884
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】フォトレジストのパターン形成工程で問題になっている半導体基板からの反射光によるパターンの寸法精度低下および形状劣化を解消する。【構成】反射率の高い配線金属膜3が形成された半導体基板1上にSiO2 膜4を成長させる。つぎにCe4+をイオン注入して熱処理することにより、紫外線を吸収する反射防止膜4aを形成する。つぎにフォトレジスト5を塗布したのち、露光・現像してフォトレジストパターン5aを形成する。【効果】吸収型の反射防止膜を用いて干渉効果による寸法変動およびパターン形状の劣化を防ぐことができた。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に二酸化シリコン膜を成長させる工程と、前記二酸化シリコン膜にイオン注入したのち熱処理することにより、紫外線を吸収する反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を選択的に露光したのち現像して、残留した前記フォトレジスト膜からなるパターンを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, C23F 1/00 102
