ナノ結晶材料のストリップを製造する方法および前記ストリップから巻き付けコアを製造するための装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：川口義雄 , 小野誠 , 渡邉千尋 , 金山賢教 , 大崎勝真 , 坪倉道明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-511758
公開番号（公開出願番号）：特表2009-501273
出願日： 2006年05月19日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

本発明は、アモルファス状態の成形品である巻きリボンから得られて、原子組成[Fe1-a-bCoaNib]100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzNbαM’βM”γ(式中、M’は元素V、Cr、Al、およびZnのうちの少なくとも1つであり、M”は元素C、Ge、P、Ga、Sb、In、およびBeのうちの少なくとも1つであり、a≦0.07およびb≦0.1、0.5≦x≦1.5および2≦α≦5、10≦y≦16.9および5≦z≦8、β≦2およびγ≦2である)を有するナノ結晶材料のストリップを作製する方法、および特にこれまで知られているよりもはるかに小さい巻き付け半径を伴った、先行技術のものよりも小型の磁気回路幾何学構造のために取り扱いおよび使用されることが可能なナノ結晶製品を提供することである。

請求項（抜粋）：

アモルファス状態のリボン成形品から得られるナノ結晶材料でできているストリップを製造するための方法であって、アモルファスリボンを結晶化アニーリングにかけることにより、 [Fe1-a-bCoaNib]100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzNbαM’βM”γ 式中、M’は元素V、Cr、Al、およびZnのうちの少なくとも1つであり、M”は元素C、Ge、P、Ga、Sb、In、およびBeのうちの少なくとも1つであり、 a≦0.07およびb≦0.1 0.5≦x≦1.5および2≦α≦5 10≦y≦16.9および5≦z≦8 β≦2およびγ≦2となる原子組成を備え、ストリップリボンが少なくとも2つのS字型ユニットを通って前進時に、実質的にリボンの縦軸方向の張力下で、巻き付けられていない状態でアニーリングにかけられ、それにより、リボンが2MPaと1000MPaとの間の軸方向引っ張り応力下で5秒と120秒との間の時間の間、530°Cと700°Cとの間のアニーリング温度に維持され、前記アモルファスリボンが受ける引っ張り応力、前記アニーリング中のリボンの前進の速度、アニーリング時間およびアニーリング温度が、ストリップの断面プロファイルがΩ形状にならず、かつストリップの幅の3%未満、好ましくは幅の1%未満のストリップの横軸断面の最大撓みを示すように選択される、方法。

IPC (9件)：

C21D 8/12 , C01B 33/06 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , H01F 1/153 , H01F 1/16 , C21D 6/00 , C21D 1/00 , C22C 38/00

FI (9件)：

C21D8/12 H , C01B33/06 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01F1/14 C , H01F1/16 Z , C21D6/00 C , C21D1/00 112A , C22C38/00 303S

Fターム (28件)：

4G072AA20 , 4G072BB02 , 4G072BB20 , 4G072GG02 , 4G072GG03 , 4G072GG04 , 4G072GG05 , 4G072HH02 , 4G072MM40 , 4G072NN30 , 4G072QQ02 , 4G072RR21 , 4G072UU30 , 4K034AA05 , 4K034BA01 , 4K034BA04 , 4K034CA05 , 4K034DB04 , 4K034EA04 , 5E041AA11 , 5E041BD03 , 5E041CA01 , 5E041HB11 , 5E041NN01 , 5E041NN12 , 5E041NN14 , 5E041NN17 , 5E041NN18

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭64-079342
特開平2-019442

審査官引用 (2件)

特開昭64-079342
特開平2-019442

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