特許

J-GLOBAL ID：200903028536481084

金属酸窒化物及び金属シリコン酸窒化物の金属・有機化学気相成長法及び原子層蒸着法

発明者： 千崎 佳秀 ,  リー サン イン
出願人/特許権者： アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (5件)： 熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  平山 孝二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-523146
公開番号（公開出願番号）：特表2005-534173
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

本発明は改良された高-gスタック構造体の作製で使用されるゲート及びキャパシタ誘電体に関する。本発明によれば、金属アルキルアミドはMOCVD又はALD法で使用されて金属酸窒化物又は金属シリコン酸窒化物誘電体膜を生成する。金属酸窒化膜又は金属シリコン酸窒化膜はシリコン基板とドープされた他結晶シリコン(Poly-Si)又は金属電極層の間に配置できる。

請求項（抜粋）：

基板上に誘電体膜を形成する金属・有機化学気相成長法であって、基板を備えている蒸着チャンバーに金属アルキルアミド、窒素源及び酸素源を導入する工程(必要に応じて、シリコン源を導入してもよい)を含む少なくとも1サイクルを含むことを特徴とする前記方法。

IPC (5件)：

H01L21/318 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L21/318 C ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/04 C

Fターム (17件)：

5F038AC15 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD21 ,  5F083AD60 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083PR21