特許
J-GLOBAL ID:200903028539608557
光電流増倍素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西村 教光 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-224414
公開番号(公開出願番号):特開2000-058942
出願日: 1998年08月07日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】低い電圧で高い増倍率と大きな明暗電流比が得られる光電流増倍素子を提供する。【解決手段】ガラス基板2の内面には、ITO電極3と、500nmのNTCDA層4と、1nmのLiF層5と、20nmのAu電極6が積層形成される。Au電極6には電源7の-極が、ITO電極3には+極が接続される。電圧を印加し、Au電極6に光を照射する。光照射によりNTCDA層4内で生成したホールは、ITO電極3からNTCDA層4内を移動し、LiF層5との界面にトラップホールとして蓄積される。NTCDA膜4とAu電極6の界面に電界が集中し、Au電極6から電子注入が起こって増倍現象が発生する。電圧20V、400nm、16μW/cm2 の単色光をAu電極6側に照射する。本例の素子は、増倍率8万倍、明暗電流比12倍となり、従来よりも低い電圧で、高い増倍率と大きな明暗電流比が得られた。
請求項(抜粋):
光が照射される側の第1電極と、これに対向する側の透光性を有する第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に設けられた光電効果を示す有機材料層と、前記第1電極と前記第2電極の少なくとも一方と前記有機材料層との間に設けられた絶縁薄膜とを有する光電流増倍素子。
IPC (5件):
H01L 51/10
, H01L 31/08
, G01J 1/02
, H05B 33/12
, H05B 33/22
FI (4件):
H01L 31/08 T
, G01J 1/02 D
, H05B 33/12 Z
, H05B 33/22 Z
Fターム (24件):
2G065AB04
, 2G065BA18
, 2G065BA25
, 2G065BA34
, 2G065BA38
, 2G065CA12
, 3K007AB00
, 3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 3K007FA03
, 5F088AB01
, 5F088AB11
, 5F088BA01
, 5F088BA03
, 5F088BB10
, 5F088DA20
, 5F088FA04
, 5F088FA05
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