特許
J-GLOBAL ID:200903028540009535

コンデンサ構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 重野 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-284663
公開番号(公開出願番号):特開平5-121660
出願日: 1991年10月30日
公開日(公表日): 1993年05月18日
要約:
【要約】【目的】 シリコンチップの一方の面に誘電体層を介して電極が積層形成されてなるコンデンサ構造の絶縁破壊電圧(耐圧)を向上させる。【構成】 誘電体層3の周縁部を除く表面に電極4を形成する。【効果】 電極非形成部4Aにより、電極4の端部4aとシリコン基体2の端部2aとの間に十分な距離が確保され、両者間のスパークによる絶縁破壊が防止される。
請求項(抜粋):
シリコンチップの一方の面に誘電体層を介して電極が積層形成されてなるコンデンサ構造において、該電極は、誘電体層の周縁部を除く表面に形成されていることを特徴とするコンデンサ構造。
IPC (3件):
H01L 27/04 ,  H01G 4/08 ,  H01L 27/108

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