特許
J-GLOBAL ID：200903028549244022
研磨方法並びに研磨装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076788
公開番号（公開出願番号）：特開2007-253244
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】SiCやダイヤモンド等からなる基板の表面を、サブサーフェスダメージを残すことなく極めて平滑に、かつ能率よく研磨することが可能な研磨方法および研磨装置を提供する。【解決手段】裏面に反射膜11を備えた研磨定盤10と、研磨定盤10の表面側に配置された紫外光源ランプ12と、赤外光源ランプ14とを備えている。研磨定盤10の表面に基板16の被研磨面16aを押し付けた状態で、紫外光Lを研磨定盤10の表面側から所定の光束で照射しつつ、相対的に擦動させることにより研磨を行う。研磨定盤10に入射した紫外光Lは、研磨定盤10内を透過してその裏面の反射膜11において反射することにより、被研磨面16aの全面に対して照射される。被研磨面16aに形成された酸化膜が除去されて研磨が進行する。紫外光を有効に活用することで、極めて平滑で、かつ能率的な研磨を実現すると同時に、装置が小型化し、設計の自由度が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
研磨対象の被研磨面を、紫外光に対して透明性を有すると共に裏面側に反射膜を備えた研磨定盤の表面に接触させると共に、
紫外光を、前記研磨定盤の表面側から入射し、前記反射膜において反射させることにより前記研磨対象の被研磨面に照射しつつ前記研磨対象を前記研磨定盤に対して相対的に擦動させることにより研磨する
ことを特徴とする研磨方法。
IPC (4件)：
B24B 1/00
, B24B 37/00
, B24B 37/04
, H01L 21/304
B24B1/00 B
, B24B37/00 Z
, B24B37/04 A
, H01L21/304 621Z
3C049AA07
, 3C049AA09
, 3C049AC01
, 3C049BA02
, 3C049BA09
, 3C049BA14
, 3C049BC02
, 3C049CA05
, 3C049CB02
, 3C049CB03
, 3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CB03
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
