特許

J-GLOBAL ID：200903028550116259

半導体シリコンウエーハ研磨用研磨剤及び研磨方法

発明者： 深見 輝明 ,  高久 勉
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347898
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186201
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 コスト的に過剰となる研磨剤の高純度化を避け、なおかつ研磨加工中の半導体ウェーハへの金属汚染、特に銅、ニッケル汚染を引き起こさないようにした半導体シリコンウエーハ研磨用研磨剤及び研磨方法を提供する。【解決手段】 シリカ含有研磨剤を主成分とし、研磨剤の総量に対してCu濃度及びNi濃度が各々0.01〜1ppbであることを特徴とする半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤。

請求項（抜粋）：

シリカ含有研磨剤を主成分とし、研磨剤の総量に対してCu濃度及びNi濃度が各々0.01〜1ppbであることを特徴とする半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (3件)：

H01L 21/304 622 B ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 H