特許

J-GLOBAL ID：200903028550940377

半導体発光装置

発明者： 山崎 進 ,  倉又 朗人 ,  篠原 宏爾 ,  堀野 和彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291038
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140670
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 青色ないし緑色の光を放出する半導体発光装置に関し、II-VI族ワイドギャップ半導体層に低抵抗の電極を形成して動作電圧を低減する。【構成】 II-VI族ワイドギャップ半導体からなる活性層6、ガイド層5,7、クラッド層4,8等を含む積層構造に、ほぼ単分子層の整数倍の厚さを有するII-VI族半導体層とIII-V族半導体層を、このIII-V族半導体層の厚さの比率がII-VI族ワイドギャップ半導体から離れるにしたがって徐々に増大するように交互に形成して曲線状または階段状に漸減するバンドギャップを有するヘテロバリア緩和層9aを形成し、その表面に電極12を形成し、あるいは、このヘテロバリア緩和層9aの上にIII-V族半導体層からなる電極形成層10を形成し、その表面に電極12を形成する。あるいは、このヘテロバリア緩和層をカルコパイライト混晶層またはHgZnSSe混晶層で形成する。

請求項（抜粋）：

II-VI族ワイドギャップ半導体からなる活性層、ガイド層、クラッド層等を含む積層構造に、ほぼ単分子層の整数倍の厚さを有するII-VI族半導体層とIII-V族半導体層が、該III-V族半導体層の厚さの比率がII-VI族ワイドギャップ半導体層から離れるにしたがって徐々に増大するように交互に形成されて実効的に漸減するバンドギャップを有する半導体層が形成され、該半導体層の表面に電極が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。