特許

J-GLOBAL ID：200903028551981832

半導体膜の製造方法

発明者： 梅中 靖之 ,  中村 好伸 ,  前川 真司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108711
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299284
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 近年、薄膜トランジスタ(TFT)に代表される薄膜半導体素子が注目されており、これらに用いる半導体薄膜の開発がなされている。しかし、従来の製造方法では、触媒物質導入窓から触媒物質を添加していたが、触媒物質導入窓から離れるにつれ、触媒物質が不足するので、結晶性がよく、大面積の半導体薄膜を形成することができなかった。【解決手段】 本発明は、基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜上に、触媒物質導入窓を有し、かつ、部分的に膜厚の薄くなった領域を有するマスク層を形成する工程と、前記マスク層を通して、非晶質珪素膜に触媒物質を添加する工程と、エネルギーを印加することにより前記非晶質珪素膜を結晶化する工程とを含むことを特徴とする半導体膜の製造方法である。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜上に、触媒物質導入窓を有し、かつ、部分的に膜厚の薄くなった領域を有するマスク層を形成する工程と、前記マスク層を通して、非晶質珪素膜に触媒物質を添加する工程と、エネルギーを印加することにより前記非晶質珪素膜を結晶化する工程とを含むことを特徴とする半導体膜の製造方法。

Fターム (7件)：

5F052AA11 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA01 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10