特許
J-GLOBAL ID:200903028553727402

半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 徳若 光政
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-191010
公開番号(公開出願番号):特開平8-037238
出願日: 1994年07月21日
公開日(公表日): 1996年02月06日
要約:
【要約】【目的】 高信頼性を図った半導体集積回路装置を提供する。【構成】 複数の独立した電源供給端子から動作電圧がそれぞれ供給され、信号伝達を行うインターフェイスを持つ複数からなる電子回路を持つ半導体集積回路装置において、上記複数からなる電源供給端子の相互間にそれぞれ相互に通常の電源供給状態ではオフ状態になるような高いしきい値電圧を持つようにされた一方向性素子を設け、又はかかる電子回路間の信号伝達を行うインターフェイス部の入力MOSFETのゲートに静電破壊防止用の抵抗とダイオードを接続する。【効果】 半導体集積回路装置のハンドリング時等において各電源端子に静電気により高電圧が印加されても、上記一方向性素子又は上記抵抗とダイオードからなる静電破壊防止回路によりインターフェイス部での静電破壊を防止することができる。
請求項(抜粋):
複数の独立した電源供給端子から動作電圧がそれぞれ供給され、信号伝達を行うインターフェイスを持つ複数からなる電子回路と、上記複数からなる電源供給端子の相互間にそれぞれ設けられ、通常の電源供給状態ではオフ状態になるような高いしきい値電圧を持つようにされた一方向性素子とを備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件):
H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件):
H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平3-234063
  • 特開平1-304778

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