特許

J-GLOBAL ID：200903028556821213

増幅型半導体撮像装置

発明者： 工藤 裕章
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196847
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045886
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 光をシリコン基板1の表面側から照射する場合には、ゲート電極7や絶縁膜6などの光透過率を高めるために膜厚を薄く形成しなければならず、このため、ゲート電極ラインのシート抵抗が高くなって高速でゲート電極7を制御することが困難になる。また、光をシリコン基板1の裏面側から照射する場合には、このシリコン基板1の層厚が厚いために、光電変換キャリアが拡散してスミア特性を悪化させたり、短波長領域の光の感度が低下する。【解決手段】 照射光をシリコン基板1の裏面側の光入射面1aから入射させる共に、シリコン基板1の層厚を薄膜化する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に第2導電型半導体層の半導体ウエル層が形成されると共に、該半導体ウエル層の表層部に高濃度第1導電型半導体層のソース領域とドレイン領域がそれぞれ形成され、該ソース領域とドレイン領域の間のゲート領域の表面に絶縁膜を介してゲート電極が形成された増幅型半導体撮像装置において、該半導体基板の裏面を光入射面とすると共に、該半導体基板の層厚が、該半導体基板と該半導体ウエル層とのpn接合により生じる空乏層の裏面側の端と該半導体基板の裏面との間の距離をd1とし、該光入射面に入射される光の波長に対する光侵入深さをd2とした場合に、d1≦d2の条件を満たす厚さに形成された増幅型半導体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D