特許

J-GLOBAL ID：200903028557068802

メモリ内の欠陥素子の処理方法

発明者： パトリック ピニョン
出願人/特許権者： エスジェーエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343496
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006597
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 欠陥素子と置き換える冗長素子を備える、集積回路の形の内部のメモリの欠陥素子を修理する方法の提供。【構成】 A)検出された各欠陥素子ごとに冗長素子のテストによって第1の非欠陥冗長素子を探索し、この第1の冗長素子を欠陥素子に割り当て、B)冗長素子の各欠陥素子への割り当てが終了した時、各欠陥素子を、割り当てられた冗長素子と置き換えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

メモリマップは欠陥素子の検出テストを受けている、冗長素子を付加的に備えるメモリの欠陥素子を修理する方法であって、A)検出された各欠陥素子ごとに冗長素子のテストによって第1の非欠陥冗長素子を探索し、この第1の非欠陥冗長素子をその欠陥素子に割り当て、B)冗長素子の各欠陥素子への割り当てが終了した時、各欠陥素子を、割り当てられた冗長素子と置き換える、ことからなることを特徴とする方法。