特許

J-GLOBAL ID：200903028558753525

光半導体素子、及びその製造方法

発明者： 餌取 秀樹 ,  朴 鐘震
出願人/特許権者： 財団法人川村理化学研究所
代理人 (1件)： 高橋 勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-071972
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270923
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 感度の減少を抑え、光電流/暗電流比を向上させた光半導体素子、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 電極層(a)、分子性光導電材料蒸着膜からなる光導電層(b)、自己組織化膜からなる絶縁層(c)、及び電極層(d)が、この順で積層された光半導体素子であって、暗電流が、絶縁層(c)を有さない、(a)(b)(d)のみからなる光半導体素子の暗電流の2分の1以下であることを特徴とする光半導体素子、及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

電極層(a)、分子性光導電材料蒸着膜からなる光導電層(b)、自己組織化膜からなる絶縁層(c)、及び電極層(d)が、この順で積層された光半導体素子であって、暗電流が、絶縁層(c)を有さない、(a)(b)(d)のみからなる光半導体素子の暗電流の2分の1以下であることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/08 T ,  H01L 27/14 Z

Fターム (14件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118CA14 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088AB13 ,  5F088BA04 ,  5F088BB03 ,  5F088CB07 ,  5F088FA05 ,  5F088FA20 ,  5F088GA02