半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-354191
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158390
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】熱抵抗を下げることができると共に、動作電流のばらつきを抑制でき、半導体レーザチップの短絡を防止できる半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】ステム1に銀ペースト2を塗布し、その銀ペースト2が塗布されたステム1上に半導体レーザチップ3を搭載する。次に、上記ステム1上に搭載された半導体レーザチップ3をコレット10によりステム1側に加圧しながら加熱することにより銀ペースト2を仮硬化させて、半導体レーザチップ3をステム1上に固定する。そして、仮硬化の工程の後、恒温槽12内で銀ペースト2を本硬化させる。

請求項（抜粋）：

金属を用いた導電性ダイボンドペーストを用いて半導体レーザチップを基部上に搭載した半導体レーザ装置の製造方法において、上記基部上に上記導電性ダイボンドペーストを塗布する工程と、上記導電性ダイボンドペーストが塗布された上記基部上に上記半導体レーザチップを搭載する工程と、上記基部上に搭載された上記半導体レーザチップを上記基部側に加圧しながら加熱することにより上記導電性ダイボンドペーストを仮硬化させ工程と、上記仮硬化の工程の後、上記導電性ダイボンドペーストを本硬化させる工程とを有することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/022 , H01L 21/52

FI (2件)：

H01S 5/022 , H01L 21/52 C

Fターム (11件)：

5F047AA01 , 5F047AA17 , 5F047AA19 , 5F047BA21 , 5F047BA52 , 5F047BA53 , 5F047BB11 , 5F047CA08 , 5F073BA06 , 5F073EA28 , 5F073FA22

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-106089
半導体素子の実装装置及びその実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-051601 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭60-052079

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