特許
J-GLOBAL ID：200903028569976143
ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194042
公開番号（公開出願番号）：特開平10-268504
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】ハーフトーン境界領域を有するハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、露光される隣接した回路パターン領域での漏れ光による露光過剰を回避し、マスクのTAT及び製造コストを削減することを目的とする。【解決手段】光透過性基板13上にハーフトーン層11を堆積形成し、回路パターン領域17及びそこに隣接した境界領域(ダイシングライン21、フレーム領域19)を設けるためにハーフトーン層11をパターニングする。そして、露光光波長に対して回路パターン領域17のハーフトーン層の透過率を最適化するために、回路パターン領域17上で選択的な安定化処理を行う。この際、回路パターン領域17の透過率を境界領域21の透過率に対して増加させるために、境界領域21においてハーフトーン層11のパターニングに使用したレジスト層15等を使用してその元の状態に維持することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
光透過性基板上にハーフトーン層を形成する工程と、回路パターン領域及びこの領域に隣接した境界領域を設けるために、上記ハーフトーン層をパターニングする工程と、露光光の波長に対して上記回路パターン領域におけるハーフトーン層の透過率を最適化するために、上記回路パターン領域の選択的な安定化処理を行い、上記回路パターン領域の透過率を境界領域の透過率に対して増加させるために、上記境界領域においてハーフトーン層を元の状態のまま維持する工程とを具備することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
