特許

J-GLOBAL ID：200903028570259315

単結晶引き上げの印加磁場決定方法

発明者： 中嶋 健 ,  渡辺 貴 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098746
公開番号（公開出願番号）：特開平5-270973
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェーハの面内での抵抗率分布を完全に均一にできる単結晶引き上げの印加磁場決定方法を提供する。【構成】 MCZ法でシリコン単結晶棒を引き上げる。このときの印加磁場強度1000ガウスに対して、シリコン単結晶棒の横断面の面内抵抗率分布を、図1上にプロットする。このプロットをMCZ法の印加磁場を、2000ガウス、3500ガウス、0ガウスに変更して複数回行う。この結果得られた印加磁場強度と面内抵抗率分布との相関関係を基に、シリコン単結晶棒の横断面の面内抵抗率が完全に均一になる磁場強度を決定できる。この決定した磁場強度を印加したMCZ法でシリコン単結晶棒を引き上げ、シリコンウェーハを製造する。

請求項（抜粋）：

MCZ法で得られドーパントを添加した単結晶棒の横断面の面内抵抗率を、複数の異なった磁場強度に対して、それぞれ測定し、その相関関係を基に上記面内抵抗率の分布の小さい磁場強度を決定することを特徴とする単結晶引き上げの印加磁場決定方法。

IPC (2件)：

C30B 15/22 ,  H01L 21/02