特許

J-GLOBAL ID：200903028571917677

電界放出陰極装置及びその製造方法

発明者： 別井 圭一 ,  福田 晋也 ,  豊田 治 ,  中谷 忠司 ,  石井 智之 ,  近藤 信義
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-330599
公開番号（公開出願番号）：特開平6-176686
出願日： 1992年12月10日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は表示素子、マイクロ真空管に用いられる電界放出陰極装置に関し、製造容易であると共に、低消費電力及び電界の安定放出を行うことを目的とする。【構成】 電界放出を行う円錐形状のエミッタティップで構成されるエミッタアレイ41と、エミッタ給電線50との間に、ソース領域44b、ゲート電極45、ドレイン領域44aで形成されるFETトランジスタを介在させる。そして、ゲート電極45に第1の制御線47より電圧印加してエミッタアレイ41より電界放出を行わせる構成とする。

請求項（抜粋）：

所定数の電界放出部のエミッタアレイ(41)に第1及び第2の給電線(50,51)より電圧を印加して、該エミッタアレイ(41)より電界を放出させる電界放出陰極装置において、前記第1及び第2の給電線(50,51)の何れかと、前記エミッタアレイ(41)との間に制御素子(44a,44b,45)が介在されると共に、該制御素子(44a,44b,45)のゲート(45)を駆動する第1の制御線(47)が形成されることを特徴とする電界放出陰極装置。

IPC (4件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 21/06 ,  H01J 31/15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-295138
  
• 特開昭61-290490
  
• 特開平3-071185