ローデットライン型移相器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107918
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069701
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 1つの移相器で2つの異なる移相量を得ることができ、多ビット移相器を形成するに際してチップサイズを小型化することができるローデットライン型移相器を得る。【構成】 1/4波長の主線路3の両端にそれぞれ接続された装荷線路4a,4bの他端に接続されたソース接地のFET5a,5bのドレイン電極10a,7a間を、そのソース・ドレイン電極間に共振用インダクタ20を並列接続したFET23を介して接続する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に1/4波長の主線路,該主線路の両端にそれぞれ接続された装荷線路及び該装荷線路の他端にそのドレイン電極が接続され、そのソース電極が接地された2つのFETが形成され、上記主線路の特性インピーダンス,上記装荷線路のリアクタンス成分及び上記FETのOFF容量によって所望の移相量が設定されるよう構成されてなるローデットライン型移相器において、上記2つのFETのドレイン電極間に、少なくとも各1つのFETとインダクタで構成される共振回路を接続したことを特徴とするローデットライン型移相器。

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