特許
J-GLOBAL ID：200903028582639750
磁気検出素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077749
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282997
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 CPP型磁気検出素子において、適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことができ、ヒステリシスの小さい再生特性に優れた磁気検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 フリー磁性層67の両側端部A上のみならず、前記フリー磁性層の中央後端部B上にも第2反強磁性層22が設けられている。前記フリー磁性層67の中央前端部Cのハイト側縁部C2では、中央後端部B上に設けられた第2反強磁性層22からのバイアス磁界によって、前記フリー磁性層67の磁化方向と逆向きのセンス電流磁界を打ち消して前記センス電流磁界の影響を弱めることができ、従来に比べて前記フリー磁性層67の磁化の乱れを小さくでき、ヒステリシスの小さい磁気検出素子を製造することが可能になる。
請求項（抜粋）：
下から第1反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の上下に電極が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側端部上と、前記フリー磁性層のトラック幅方向の中央部であって、その後端部上とに第2反強磁性層が設けられ、前記フリー磁性層の前記中央部の前端部上に上側電極が設けられることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 B
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
2G017AC01
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BA12
, 5D034BB08
, 5D034CA04
, 5D034CA08
