特許
J-GLOBAL ID：200903028589027709
半導体装置配線
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227835
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067686
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】下層Cu配線の性能を損なうことなくこの層間絶縁膜のスルーホール形成時にCu配線層に及ぶエッチングダメージを防止する配線構造を提供する。【構成】Cu配線を基板1側から接着層,Cu配線層6,バリヤ層9,エッチングストッパ層8の四層構造とし、Cu配線上の絶縁膜9にスルーホールを形成する際のエッチングダメージ16をエッチングストッパ層内に留める。【効果】配線上の層間絶縁膜にスルーホールを開口する際、配線上のエッチングダメージをエッチングストッパ層により止めることができる。
請求項（抜粋）：
配線層と絶縁層が、順次、積層されてなる薄膜多層配線において、少なくとも一つの前記配線層が接着層,導電層,バリヤ層,エッチングストッパ層の四層の導電性物質よりなる積層構造をもち前記導電層が最も厚くCuもしくはCuを主成分とする合金よりなることを特徴とする半導体配線。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
