配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007887
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209276
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】ボーダーレス配線構造の配線を形成するに際して、接続孔への密着層形成時に生ずる導体層の窒化を防ぎ、コンタクト抵抗の増大やEM耐性の劣化を防止する。【解決手段】配線パターン上に、層間絶縁膜よりもエッチングレートが十分低いエッチングストッパー層4を設けるか、あるいはキャップメタル層3として層間絶縁膜よりもエッチングレートが十分低い層を設ける。エッチングストッパー層としては、無機材料等が用いられる。キャップメタル層としては、高融点金属膜、TiN膜/Ti膜/TiN膜の3層膜、表層部が酸化層とされたTiN膜が用いられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、導体層とキャップメタル層よりなる下層配線パターンを形成し、この下層配線パターンを層間絶縁膜で被覆した後、上記層間絶縁膜に、下層配線パターンに対して一部ずれるような接続孔をエッチング形成するに際して、下層配線パターンを層間絶縁膜によって被覆する前工程で、上記配線パターンのキャップメタル層上に、接続孔のエッチングにおいて層間絶縁膜とのエッチング選択比が高いエッチングストッパー層を形成することを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/283

FI (3件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/28 301 R , H01L 21/283 N

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