特許

J-GLOBAL ID：200903028590138484

薄膜コンデンサ内蔵型モジュール

発明者： 黒光 祥郎 ,  豊田 誠司 ,  佐藤 和昭
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186715
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035997
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 実装されるLSIがC-MOS系のLSIの場合にその電気特性に問題を起こすことなく電源ノイズを抑制し得る。高容量で非常に信頼性の高い薄膜コンデンサを内蔵でき、実装面積を広くし得る。【解決手段】 薄膜コンデンサ内蔵型モジュール15は、モジュール用基板10上に薄膜コンデンサ13と薄膜多層回路14が設けられる。モジュール用基板10がAlN、Al2O3又はSiCのセラミック焼結体11と、このセラミック焼結体11の表面に設けられたガラス層12とを備える。

請求項（抜粋）：

モジュール用基板(10)上に薄膜コンデンサ(13)が設けられ、前記薄膜コンデンサ(13)上に薄膜多層回路(14)が設けられた薄膜コンデンサ内蔵型モジュール(15)であって、前記モジュール用基板(10)がAlN、Al2O3又はSiCのセラミック焼結体(11)と、前記セラミック焼結体(11)の表面に設けられたガラス層(12)とを備えたことを特徴とする薄膜コンデンサ内蔵型モジュール。

IPC (7件)：

H01G 4/33 ,  C04B 41/89 ,  H01L 25/00 ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/46

FI (7件)：

H01G 4/06 102 ,  C04B 41/89 Z ,  H01L 25/00 B ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 1/03 610 E ,  H05K 1/16 D ,  H05K 3/46 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体チップキャリアおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-342718   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-211191
  
• 複合集積回路部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191299   出願人：ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所