半導体ウェハの洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107943
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305174
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】ウェハ表面全体が同等な圧力で純水噴射される工程を伴ない、ダイシング汚れをむら無く洗浄する半導体ウェハの洗浄方法を提供する。【解決手段】支持台11は、ウェハWF(底部の支持テープTP)をチャックして回転制御する。半導体ウェハWFはダイシング工程を経たダイシング済みのものでダイシング汚れ(切削屑等)を含んでおり洗浄の必要性がある。(a)に示すように、ウェハの直径以上の長さの純水DIWの噴出領域を有するノズル12が純水噴出を伴いつつスキャン移動を行う。これにより、ウェハWF全域に略均一な純水噴出の圧力がかけられる。ウェハWF表面上には溜水ができ、この溜水にダイシング汚れの汚染物を浮遊させる。次に、(b)に示すように、支持台11を高速回転させ溜水ごとウェハ表面上の汚染物が振り落とされる。

請求項（抜粋）：

ダイシング済みの半導体ウェハの洗浄処理に関し、半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、このウェハの直径以上の長さの純水の噴出領域を有するノズルが純水噴出を伴いつつスキャン移動を行うことにより、前記半導体ウェハ表面上の溜水に汚染物を浮遊させた後、前記支持台の高速回転によりこのウェハ上の溜水ごと汚染物を遠心力によって振り落とすことを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 643 , H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 643 C , H01L 21/304 643 A

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