特許

J-GLOBAL ID：200903028597439820

半導体デバイスのバリアメタル

発明者： 川島 伊久衛 ,  花岡 克成
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085545
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291560
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】膜厚が薄くても、より高いバリア特性を有することのできるバリアメタルを提供する。【構成】金属もしくは金属間化合物あるいは金属化合物の薄膜からなり、シリコン(Si)半導体デバイスのSi基板1と該基板1上に形成される配線用金属3との間に設けられるバリアメタル2であって、その組織の一部もしくは全部がアモルファス部であることを特徴とする。【効果】バリアメタルを構成する薄膜の組織の一部もしくは全部をアモルファス部としたことにより、アモルファス部では膜中に結晶粒界を持たないため、粒界からの配線用金属(Al等)とSiの拡散が防止され、高いバリア性が得られる。

請求項（抜粋）：

金属もしくは金属間化合物あるいは金属化合物の薄膜からなり、シリコン(Si)半導体デバイスのSi基板と該基板上に形成される配線用金属との間に設けられるバリアメタルであって、その組織の一部もしくは全部がアモルファス部であることを特徴とする半導体デバイスのバリアメタル。

IPC (2件)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/28 301