特許

J-GLOBAL ID：200903028597961925

SiCショットキーダイオードの製造方法

発明者： 浅井 隆一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038198
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236099
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】SiCショットキーダイオードにおいて、逆方向電圧印加時のもれ電流を低減する。【解決手段】ショットキー電極形成後に雰囲気:真空、水素を含む不活性ガス(Ar等)温度 :200±50°Cまたは600±50°C時間 :5〜30分間の熱処理をおこなう。

請求項（抜粋）：

半導体炭化けい素を用い、ニッケルをショットキー電極とする炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法において、ショットキー電極とするニッケル膜を被着後、200±50°Cまたは600±50°Cで5〜30分間熱処理することを特徴とする炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法。

FI (2件)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 M

Fターム (7件)：

4M104AA03 ,  4M104BB21 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03