特許

J-GLOBAL ID：200903028603742360

半導体装置の製造方法

発明者： 吉川 浩太
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236136
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094680
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 酸化物導電性電極の形成に関し,酸素のバリア性を損なわず基板とのコンタクトを良くし,且つヒロックの発生を防止する。【構成】 1)半導体基板上に酸化物誘電体膜6を用いたキャパシタの下部電極として酸化ルテニウム(RuO<SB>2</SB>)5/ルテニウム(Ru)4の2層構造の電極を形成するに際し,第1層目のRu膜4の成長条件として,膜厚dを 300Å<d< 500Åとし,基板温度T<SB>S </SB>を 300°C<T<SB>S </SB>< 450°Cとし,第2層目のRuO<SB>2</SB>膜5の成長条件として,膜厚dを1000Å<d<3000Åとし,基板温度T<SB>S </SB>を 350°C<T<SB>S </SB>< 700°Cとする,2)半導体基板上に酸化物誘電体膜6を用いたキャパシタの下部電極として導電性酸化物5を,結晶成長が可能な最低温度または最高成長速度で成長する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に酸化物誘電体膜を用いたキャパシタの下部電極として酸化ルテニウム(RuO<SB>2</SB>)/ルテニウム(Ru)の2層構造の電極を形成するに際し,第1層目のRu膜の成長条件として, 膜厚dを 300Å<d< 500Åとし,基板温度T<SB>S </SB>を 300°C<T<SB>S </SB>< 450°Cとし,第2層目のRuO<SB>2</SB>膜の成長条件として,膜厚dを1000Å<d<3000Åとし,基板温度T<SB>S </SB>を 350°C<T<SB>S </SB>< 700°Cとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 27/10 325 J