特許

J-GLOBAL ID：200903028604583346

半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置

発明者： 渡部 浩 ,  有留 誠一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084194
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275197
出願日： 1996年04月05日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】メモリセルの端部においても、トレンチ素子分離法による素子分離領域の高さが変わらない。【解決手段】ダミーセル領域のの素子分離領域パターン20の幅を動作領域よりも広くしたマスク19を用いて、SiO2 膜24上にレジスト25を形成して素子分離領域を定義する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に素子領域と素子分離領域とが交互にかつ平行に配列されたセルアレイ領域を含む半導体記憶装置の製造方法において、前記セルアレイ領域に露光用マスクを用いて前記素子分離領域を形成するに際し、前記素子分離領域の長手方向と直交方向で、前記セルアレイ領域の端部に対応する前記マスクの開口幅が、前記セルアレイ領域の中心部に対応する前記マスクの開口幅より広くなっていることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371