特許
J-GLOBAL ID：200903028605109737
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232351
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079510
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 液晶表示装置におけるマトリクス回路部を構成する薄膜トランジスタにおいて、スループットの劣化による生産性の低下を招くことなく、活性層及びソース,ドレイン領域を構成する多結晶シリコン膜のトラップ密度を低減する。【解決手段】 透明基板101上に配置されるTFT100の表面を覆う層間絶縁膜108として、ポリイミド,あるいはポリアミック酸等の有機絶縁材料の塗布,及びその焼成処理により形成した有機絶縁膜を用いた。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン膜からなり、チャネルが形成された活性層と、該活性層上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、該活性層の、ゲート電極の両側に配置されたソース領域及びドレイン領域と、少なくとも該ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域上にこれらを覆うよう形成された層間絶縁膜とを備え、該層間絶縁膜は、その構造中にイミド環を含む高分子樹脂から構成されている半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 627 F
