特許
J-GLOBAL ID：200903028608743380
配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360529
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182926
出願日： 1991年12月30日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 Al系材料埋め込み配線形成の際、Alの下地にTi系材料を形成する場合において、例えばバリアメタルにTiONを用いた場合においても、高アスペクト比接続孔への高温スパッタによるAl埋め込みが良好にでき、低抵抗でかつ良好なバリア性を有する配線が形成できる配線形成方法を提供すること。【構成】 高温スパッタにより、基板1等の基体上に形成した接続孔2にAl系材料3を埋め込む場合、Al系材料の下地にTi系高融点金属系材料を形成するとともに、?@Al系材料直下のTi系高融点金属系材料41(例えばTi/TiON/Ti構造のTi)を厚膜化することによって、または?A該Ti系高融点金属系材料の構造を2以上の高融点金属系材料層とこれに挟まれたポリSiやa-Siから成る酸化防止層6とを備える構成とすることによって、Al系材料直下のTi表面の酸化を防ぐ構成とした配線形成方法。
請求項（抜粋）：
高温スパッタにより、基体上に形成した接続孔にAl系材料を埋め込む工程を有する配線形成方法において、Al系材料の下地にTi系高融点金属系材料を形成するとともに、Al系材料直下のTi系高融点金属系材料を厚膜化することによって、その表面の酸化を防ぐ構成としたことを特徴とする配線形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
