特許
J-GLOBAL ID：200903028609262912
半導体基板の研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101749
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333893
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、基板13全体の研磨の均一性を改善する研磨パッド81,101,71,121、およびこの研磨パッド81,101,71,121を使用する方法を含む。【構成】 研磨パッドは、研磨パッドの端部近くに位置する第1領域83,104,74,123、および研磨パッドの端部から遠くに位置する第2領域82,102,72,122を有する。第2領域82,102,72,122は、複数の開口部を有するか、第1領域83,104,74,123と比較して平均細孔サイズが大きい。第2領域82,102,72,122の各開口部または平均細孔サイズは、範囲1)約250から1000ミクロンの間か、または範囲2)第1領域83,104,74,123の平均細孔サイズより約25から1000パーセント大きい、のいずれかの範囲をとることができる。研磨パッド81,101,71,121は、ポリッシャ、または連続往復運動レンジ以外のポリッシャの動作パラメータに重大な変更を加える必要なしに、化学・機械研磨で使用できる。
請求項（抜粋）：
中心点を有する半導体基板(13)および主表面の寸法を有する主表面を研磨する方法であって、前記方法は:ポリッシャ(10)の中に前記基板(13)を置く段階;および、研磨パッド(81,101,71,121)を用いて前記基板(13)を研磨し、前記研磨パッド(81,101,71,121)は:端部;第1平均細孔サイズを有する複数の細孔を含む第1領域(83,104,74,123)であって、前記第1領域は前記端部に隣接して位置する第1領域;および、第2平均細孔サイズを有する複数の細孔を含む第2領域(82,102,72,122)であって、前記第2領域(82,102,72,122)は前記第1領域に隣接し、また前記第1領域(83,104,74,123)と比較して前記端部から遠くに位置する第2領域;を含み、また前記研磨パッド(81,101,71,121)は:複数の開口部(84,75)を有する前記第2領域(82,102,72)であって、前記複数の開口部(84,75)の各開口部は:約250から1000ミクロンの幅を有するか;または前記第1領域の前記平均細孔サイズよりも約25から1000パーセント大きい範囲にある幅を有する第2領域;または、前記第1平均細孔サイズよりも大きな前記第2平均細孔サイズ;によって構成されることを特徴とする研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/00
