特許

J-GLOBAL ID：200903028609703439

薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 平井 利充
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-094527
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019955
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】 細線化を良好に実現できる薄膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の薄膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、基板上に薄膜パターンに応じたバンクを突設するバンク形成工程S1と、バンクにCF4プラズマ処理により撥液性を付与する撥液化処理工程S3と、撥液性を付与されたバンク間に機能液を配置する材料配置工程S4とを有することを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜パターンを形成する薄膜パターンの形成方法であって、 前記基板上の所定のパターンにバンクを形成するバンク形成工程と、 前記バンク間に第1の液滴を配置し、第1のパターンを形成する第1材料配置工程と、 前記第1のパターン上に第2の液滴を配置する第2材料配置工程とを有し、 前記第1材料配置工程と前記第2材料配置工程との間に、前記第1の液滴に含まれる溶媒の少なくとも一部を除去する工程を有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。

IPC (12件)：

H01L21/288 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

FI (13件)：

H01L21/288 Z ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 342Z ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 627C

Fターム (114件)：

2H092GA24 ,  2H092GA32 ,  2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB21 ,  2H092KA18 ,  2H092KA20 ,  2H092KB04 ,  2H092KB06 ,  2H092NA27 ,  2H092RA10 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104GG20 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA12 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB02 ,  5C094EA04 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH28 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE05 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435CC12 ,  5G435HH12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH14 ,  5G435HH18 ,  5G435KK05 ,  5G435KK07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5132248号明細書