特許

J-GLOBAL ID：200903028609875582

シリコン単結晶の引上方法

発明者： 森田 悦郎 ,  降屋 久 ,  新行内 隆之 ,  香川 紀夫 ,  島貫 康
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186252
公開番号（公開出願番号）：特開平6-001687
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】 酸化膜の絶縁破壊耐圧等の電気的特性の向上したシリコンウェーハを製造できるシリコン単結晶の引上方法を提供する。【構成】 シリコン融液の固液界面直下から3cmまでの範囲での温度勾配が下方に向かって5°C/cm以上になるように、シリコン融液加熱用のヒータのパワーを制御する。このシリコン融液からシリコン単結晶棒を引き上げる。引き上げたシリコン単結晶棒よりシリコンウェーハを作製する。このシリコンウェーハにSC1洗浄を行う。この結果、シリコンウェーハの表面にCOPが表れないものである。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶棒を石英坩堝内のシリコン融液から引き上げるシリコン単結晶の引上方法において、シリコン融液の固液界面直下から3cmまでの範囲の温度を、5°C/cm以上の割合で鉛直方向に沿って上昇させたことを特徴とするシリコン単結晶の引上方法。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208