特許
J-GLOBAL ID：200903028611181024
強誘電体メモリ装置及びその動作方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181357
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012831
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタが繰り返しの反転によっても分極疲労を生じ難く、長寿命で高信頼性を保持することのできる強誘電体メモリ装置と、その動作方法を提供すること。【解決手段】 イリジウム上部電極5とイリジウム下部電極3との間にPZT薄膜4が設けられた強誘電体キャパシタCAPを有し、イリジウム上部電極5がビット線6(BL)側に、イリジウム下部電極3がドライブ線32(DL)側に接続されている強誘電体メモリ装置。このメモリ装置を動作させるに際し、ビット線6(BL)のデータの種類に依らず、イリジウム上部電極5に負の電圧パルスを印加する方法。
請求項（抜粋）：
イリジウムを主体とする上部及び下部電極と、これらの電極間に強誘電体膜が設けられた強誘電体キャパシタを有し、前記上部電極がビット線側に、前記下部電極がドライブ線側に接続されている強誘電体メモリ装置。
IPC (7件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
