特許

J-GLOBAL ID：200903028611244638

半導体装置及び光弁装置

発明者： 山崎 恒夫 ,  高橋 邦博 ,  鷹巣 博昭
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021205
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318702
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板上のICの高速性を犠牲にすることなく静電気耐性を向上させたMOS型集積回路及び光弁装置を提供することを目的とする。【構成】 SOI基板上のMOS型集積回路において、入出力保護回路形成領域のシリコン単結晶薄膜デバイス形成層の膜厚は、高速動作が要求されるMOS型集積回路形成領域のシリコン単結晶薄膜デバイス形成層の膜厚よりも厚いことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁層上のシリコン単結晶薄膜に形成したMOS型集積回路は、入力または出力保護回路領域と、シリコン単結晶デバイス形成領域とから成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 27/06 311 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-345064
  
• 特開平2-260459
  
• 特開平4-181227