成膜装置及び成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202062
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047660
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】高品質の高誘電率ゲート絶縁膜を高スループットで成膜するCVDのような成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】第1成膜原料として有機金属化合物を用い,それをウエハ表面と対向する様に設けたシャワーヘッド6から反応室1内に導入すると共に,シャワーヘッド6内の残留ガスを高速に排気する排気バルブ76を設けた。また,H2O,O3 などの第2成膜原料をシャワーヘッド6と流路が異なるノズルから反応室1に導入する構造にする。【効果】同一装置で,ALD法とMOCVD法による成膜が可能になるため,高スループットで高品質の高誘電率ゲート絶縁膜が形成できると言う効果がある。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

成膜する半導体基板を設置するサセプタを内部に備えた反応室と、第一の成膜原料を供給する第一の供給径路と、第二の成膜原料を供給する第二の供給径路と、を備え、前記第一の供給径路に連絡し、前記半導体基板を設置した空間に前記第一の成膜原料を供給する第一の原料供給部と、前記第二の供給径路に連絡し、前記半導体基板を設置した空間に前記第二の成膜原料を供給する第二の原料供給部と、前記基板を加熱する温度制御機構と、を備え、前記第一の成膜原料として有機金属化合物が用いられ、半導体基板を前記サセプタに設置された後、前記温度制御機構を用いて前記半導体基板を第一の温度に昇温し、前記第一の成膜原料を前記サセプタに設置する半導体基板に向けて供給して前記半導体基板表面に前記有機金属化合物層を形成した後、前記第一の成膜原料の供給を停止した後、前記第二の成膜原料を前記第二の原料供給部から前記半導体基板に供給して前記有機金属化合物と反応させて第一の反応生成物層を形成する第一の制御と、前記金属酸化物形成後、前記温度制御機構を用いて前記半導体基板を前記第一の温度より高い第二の温度に昇温し、前記第一の成膜原料供給部から前記半導体基板へ前記第一の成膜原料を供給し、熱分解させて第二の反応生成物層を形成する第二の制御と、を行う制御装置を有することを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

H01L21/31 , C23C16/46 , C23C16/52

FI (3件)：

H01L21/31 B , C23C16/46 , C23C16/52

Fターム (43件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030KA24 , 4K030KA41 , 4K030LA02 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC17 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045BB16 , 5F045DC63 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EB06 , 5F045EB09 , 5F045EE13 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045EF02 , 5F045EF05 , 5F045EG06

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