高強度薄膜電解質

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上野登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162316
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354140
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】高強度と低膜抵抗を同時に満足するプロトン伝導性の高強度薄膜電解質を提供すること。また、プロトン伝導性の高強度薄膜電解質を安価な手法で実現する方法を提供すること。【解決手段】プロトン伝導性を有する電解質膜、特に、強酸基もしくはその前駆体を有するイオン交換容量(前駆体の場合は官能基量)5ミリ当量/g〜0.2ミリ当量/gのフッ素樹脂からなる電解質膜を、ガラス転移温度近傍から融点以下の温度で2軸延伸処理することにより、膜厚50μm以下、膜強度8N以上、膜抵抗0.07Ωcm2以下のプロトン伝導性の高強度薄膜電解質を得る。

請求項（抜粋）：