特許

J-GLOBAL ID：200903028621108031

半導体製造装置

発明者： 渡会 豊 ,  馬場 広行
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 中島 洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010643
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206100
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 シリコン窒化膜のエッチングに使用するリン酸ボイル処理槽の加熱部の構造に関し,石英とリン酸との反応を防止することによりパーティクルの発生を完全に抑制してリン酸を高純度に保つ。【構成】 リン酸ボイル処理槽11の加熱部12は,ヒーター管14,およびこのヒーター管14を覆うヒーター保護石英管15から成る。ヒーター管14の表面には,ヒーター管14とヒーター保護石英管15の内面とが接触するのを防止するために,複数個の突起物16が設けられている。ヒーター保護石英管15の表面は,発泡材17で覆われている。

請求項（抜粋）：

ヒーター管,および該ヒーター管を覆うヒーター保護石英管から成る,リン酸ボイル処理槽の加熱部であって,ヒーター管の表面に設けられ,ヒーター管とヒーター保護石英管の内面が接触するのを防止する複数個の突起物を有することを特徴とする半導体製造装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-044681
  
• 特開平2-172225
  
• 特開平2-096334