非一様電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-156644
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004189
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】ゲート酸化膜の信頼性およびホットキャリア耐性が高く、ショートチャネル効果を抑制するトランジスタを提供する。【解決手段】基板50のソース領域2およびドレイン領域3を結ぶチャネル領域上に、ゲート酸化膜28とゲート電極になるポリシリコン1とが順に配置されている。ポリシリコン1の不純物の濃度は、ソース領域2またはドレイン領域3に近い端部1aにおいて低く、中央部において高くなっている。この非一様な不純物の濃度によってポリシリコン1の端部1aにおいては空乏化が可能となり、端部1aは中央部よりもキャリアの濃度が低くなる。これによって、ポリシリコン1に電圧が印加された際に、ゲート酸化膜28の端部28aおよびこれの下方に存在するチャネル端部50aにおける実効電界が弱まる。これは、チャネル領域の電界を非一様に制御することが可能になることを意味する。

請求項（抜粋）：

(a)絶縁膜と、第1の方向に一様に分布する第1の不純物によって第1の導電型となっている半導体層とが順に前記第1の方向に交差する第2の方向に積層され、キャリアを供給する第1の不純物拡散層と該キャリアを受け取る第2の不純物拡散層とが形成された基板を準備する工程と、(b)前記半導体層が前記第1の導電型のままで、前記第1の不純物によって与えられるキャリアの濃度が、該半導体層のうち少なくとも、前記第1の方向における前記第2の不純物拡散層側の端部において、中央部よりも低くなるようにする工程とを備える、非一様電界効果トランジスタの製造方法。

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