特許
J-GLOBAL ID：200903028623791081
バレル型プラズマアツシング方法およびバレル型プラズマアツシング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285913
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129236
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 アッシング性能を低下させることなく、半導体基板上のパターン不良を低減できるバレル型プラズマアッシング方法を提供する。【構成】 アルミニウム製の内部電極1の表面を絶縁物2で覆うことにより、放電が不安定な状態においても、一部の偏った放電が内部電極1の一部に発生し難く、発生しても内部電極1の一部のアルミニウムが溶融し飛散することがなく、半導体基板33上のパターンの不良を低減できる。
請求項（抜粋）：
同軸状に配置された電極間に反応性ガスを導入して高周波放電を生起し、半導体基板のプラズマアッシングを行うバレル型プラズマアッシング方法において接地側に配置した電極表面を絶縁物で覆いプラズマ中に導電性の電極表面を露出させないで半導体基板のプラズマアッシングを行うことを特徴とするバレル型プラズマアッシング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
