特許
J-GLOBAL ID：200903028638743008
直流磁束量子干渉計の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332209
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167113
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、2つの同一の物性値を有するパターンを容易に形成することのできる直描パターニング方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、基板表面に超伝導薄膜を形成し、この超伝導薄膜上に、レーザビームまたは電子ビームを2つ以上に分割して、導き、直描パターニングにより同時に2つ以上の括れ部を有する超伝導薄膜パターンを形成するようにしている。望ましくは、これらの超伝導薄膜パターンの両端電圧をモニタしながら直描パターニングを行う。さらにまた、超伝導薄膜の形成とその直描パターニングとを真空を破ることなく同一チャンバー内で順次行う。
請求項（抜粋）：
基板表面に超伝導薄膜を形成する超伝導薄膜形成工程と、前記超伝導薄膜上に、レーザビームまたは電子ビームを2つ以上に分割して、導き、直描パターニングにより同時に2つ以上の同一の括れ部を形成し弱接合型ジョセフソン接合を有する超伝導薄膜パターンを形成する直描工程と、2つの前記超伝導薄膜パターンを並列接続するように配線を形成する配線工程とを含むことを特徴とする直流磁束量子干渉計の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 39/22 ZAA
, G01R 33/035 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
