特許
J-GLOBAL ID：200903028641154668

EUVLマスクのブランクス欠陥修正方法

発明者：
高岡 修

高岡 修 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-241053
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060059
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。【解決手段】 ガラス基板2裏面よりガラスに吸収されない波長のレーザー4をレーザーアブレーションや融解の起きない程度の低パワー密度で対物レンズ5を用いてガラス基板上の異物3で集束するように入射することで異物近傍を加熱してMo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜1に生じた段差を緩和して多層膜中の位相欠陥を修正する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板上にMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜が形成されたEUVLマスクのブランクスの、前記多層膜中に含まれる異物による位相欠陥の修正方法において、前記ガラス基板裏面よりガラス基板に吸収されない波長のレーザー光を前記異物に集束するように入射し異物及びその近傍を加熱してMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜に生じた段差を緩和することで位相欠陥を修正することを特徴とするEUVLマスクのブランクスの位相欠陥修正方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/08 T
Fターム (5件)：
2H095BA10 ,  2H095BD05 ,  2H095BD34 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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