特許

J-GLOBAL ID：200903028643368924

SOI基板の製造方法

発明者： 中井 哲弥 ,  山口 泰男 ,  西村 正
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299349
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体層の結晶性に優れ、不純物汚染の少ない極薄膜SOI基板を作製する。【構成】 シリコン基板表面にポリシリコン層8を積層させ、酸素イオン2の注入によりSiO2 膜3を形成し、前記SiO2 膜3上のシリコン層4に対して熱処理を行ってSOI層5を形成し、SOI基板を作製する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の第1の表面に多結晶シリコン層を積層させる工程と、前記シリコン基板の第1の表面からイオン注入を行い、シリコン基板中にシリコン酸化膜を形成させる工程と、前記多結晶シリコン層とシリコン酸化膜との間のシリコン層に対し、熱処理を行う工程とを備えたことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12