特許

J-GLOBAL ID：200903028646067399

微細パターン形成材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 降▲旗▼ 智欣 ,  加藤 英人
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-206055
公開番号（公開出願番号）：特開2002-023366
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【解決手段】 複素環式アルコールおよび水溶性高分子化合物を主成分とし、酸の存在により非架橋型の非水溶性化合物を生じることを特徴とする微細パターン形成材料。【効果】 本発明の微細パターン形成材料は、酸を供給可能なレジストパターン層とインターミキシングを発生することがなく、確実に微細なスペースパターンを形成することができて、微細めっきパターンおよび半導体装置の形成に好適に用いられ、またこの微細パターン形成材料は、貯蔵安定性に優れたものである。

請求項（抜粋）：

複素環式アルコールおよび水溶性高分子化合物を主成分とし、酸の存在により非架橋型の非水溶性化合物を生じることを特徴とする微細パターン形成材料。

IPC (9件)：

G03F 7/038 601 ,  C08K 5/1575 ,  C08L101/14 ,  C23C 18/16 ,  C25D 5/02 ,  C25D 7/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (9件)：

G03F 7/038 601 ,  C08K 5/1575 ,  C08L101/14 ,  C23C 18/16 B ,  C25D 5/02 E ,  C25D 7/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (57件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025CB04 ,  2H025CB06 ,  2H025CB07 ,  2H025CB10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB16 ,  2H025CB21 ,  2H025CC20 ,  2H025DA14 ,  2H025FA17 ,  2H025FA39 ,  2H025FA43 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA27 ,  2H096KA02 ,  2H096KA08 ,  2H096KA09 ,  4J002AA001 ,  4J002AB031 ,  4J002BC041 ,  4J002BE021 ,  4J002BE061 ,  4J002BG011 ,  4J002BJ001 ,  4J002CH021 ,  4J002CM011 ,  4J002EL106 ,  4J002GP03 ,  4K022AA05 ,  4K022BA08 ,  4K022CA26 ,  4K022DA01 ,  4K022EA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AA15 ,  4K024AB08 ,  4K024BB12 ,  4K024FA06