半導体製造装置及び半導体製造装置の清浄化方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275257
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102360
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】放電プラズマを用いて半導体基板をエッチング処理する半導体製造装置及びその清浄化方法において、真空処理室内に付着した反応生成物を従来よりもより良く容易に除去することを目的とする。【解決手段】本発明は、真空処理室1内に配置された第1の電極3及び真空処理室1外に配置されるコイル7に高周波電流を印加することにより前記真空処理室1内に誘導結合型プラズマ10を生成して被処理基板を処理する半導体製造装置において、前記真空処理室1の外表面の少なくとも一部に配置された第2の電極9をさらに配置し、前記第2の電極9に高周波電流を印加することにより前記真空処理室1内に付着した反応生成物を除去する半導体製造装置及びその清浄化方法である。

請求項（抜粋）：

第1の電極を備え被処理基板を設置する真空処理室と、前記真空処理室の外側に設けられるコイルと、前記第1の電極及び前記コイルに高周波電流を印加する手段とを備え、前記第1の電極及び前記コイルに高周波電流を印加することにより前記真空処理室内に誘導結合型プラズマを生成して前記被処理基板を処理する半導体製造装置において、前記真空処理室の外表面の少なくとも一部に配置された第2の電極と、前記第2の電極に高周波電流を印加する高周波電流印加手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (3件)：

H05H 1/46 L , H01L 21/302 N , H01L 21/302 B

Fターム (18件)：

5F004AA15 , 5F004BA04 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB29 , 5F004BB30 , 5F004BC08 , 5F004DA04 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB17 , 5F004EB05

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