特許
J-GLOBAL ID：200903028655106240
半導体デバイスを作成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100443
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021392
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 無水ゾル-ゲル溶液から得られる無水強誘電性薄膜を有する半導体デバイスの作成を可能にする。【構成】 無水PZTゾル-ゲル溶液を、ジルコニウム及びチタンの前駆体と熱的に反応してゲル凝縮物を生成する無水鉛(II)アセテートから用意する。水を含まない前駆体の錯体を得るために、ゾル-ゲル凝縮物はゾル-ゲル溶液を加水分解せずに用意される。ゾル-ゲルの生成はもっぱら熱凝縮によってなされ、加水分解を行わないで一様な濃度の組成を有する無水アモルファスゾル-ゲルを生じる。無水ゾル-ゲルによって生成される無水PZT薄膜は、耐久性が改善され、実質的に低温度でペロブスカイト結晶相への遷移を完了する。
請求項（抜粋）：
半導体サブストレートを提供するステップ、無水PZTゾル-ゲル溶液を用意するステップであって、ここで凝縮物は加水分解のステップを行わない無水鉛アセテートとジルコニウム及びチタン前駆体との間の熱反応によって生成され、かつそれぞれの前駆体は無水有機溶媒中に溶解されるもの、そして無水ゾル-ゲル溶液を前記サブストレートに塗布してサブストレート上に無水ゾル-ゲルコーティングを形成するステップ、を具備することを特徴とする半導体デバイスを作成する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 325 J
, H01L 41/22 Z
