特許
J-GLOBAL ID：200903028656168231
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-126068
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321550
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 ヒューズ素子の溶断を行うための開口部の加工を容易にすることが可能な技術を提供する。【構成】 多層配線の最上層配線として、ヒューズ素子として構成されるW、Tiなどからなる高融点金属層3と、この高融点金属層3上に形成されたAlなどからなる配線用の金属層4とともに積層配線7を形成する。そして、その最上層配線の高融点金属層3をヒューズ素子として利用することにより、配線層数が増えても、ヒューズ素子の溶断を行うための開口部の加工が容易になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に複数の回路素子が集積され、所定の回路素子間を接続する多層配線および不良の回路素子を良の回路素子に置き換えるヒューズ素子を備えた半導体集積回路装置であって、前記ヒューズ素子は、前記半導体基板を覆う絶縁保護膜上に形成された高融点金属層からなることを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (2件)：
H01L 21/82 R
, H01L 21/82 S
