特許

J-GLOBAL ID：200903028656256998

ウエハ洗浄方法

発明者： 中森 昌治 ,  山田 茂樹 ,  松田 孝順
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-309807
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115470
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハをバックラップして有機洗浄を行なった後にウエハ表面に残存する有機膜を完全に除去するウエハ洗浄方法を提供すること。【解決手段】バックラップ終了後ウエハ表面に形成した保護膜と該保護膜上に塗布した貼り付け用ワックスとを除去するため第有機一洗浄を行ない、その後前記ウエハ表面に紫外線を1から15分の範囲内で照射し、然る後第二有機洗浄を行なうようにしたことにある。

請求項（抜粋）：

ウエハの表面に素子を形成した後、前記ウエハを所定の厚さに研磨するため前記ウエハの表面に保護膜及び貼り付け用ワックスを塗布し、その後前記ウエハを定盤に貼り付けてバックラップを行ない、然る後前記ウエハの表面に形成した保護膜及び貼り付け用ワックスを除去するウエハ洗浄方法において、前記保護膜及び貼り付け用ワックスは、第一有機洗浄を行ない、その後前記ウエハ表面に紫外線を照射し、然る後第二有機洗浄を行なうことにより除去することを特徴とするウエハ洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 647

FI (3件)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/304 647 A