特許
J-GLOBAL ID：200903028660777021
結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140192
公開番号（公開出願番号）：特開2001-322900
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：
【要約】【課題】 生体高分子の結晶化を助長できる装置を提供する。【解決手段】 結晶成長用装置10は、溶液14接触する固体材料12と、溶液14および固体材料12に対し、溶液14から固体材料12への方向またはその逆方向の電界を印加するための電極11aおよび11bとを備える。固体材料12は、誘電体を介して溶液14に接触する第1領域12aおよび第2領域12bを少なくとも有する。電極11aおよび11bを介して所定の電界を印加したとき、第1領域12aの誘電体に生じる電荷密度と、第2領域12bの誘電体に生じる電荷密度とは、異なっている。したがって、電圧印加時、第1領域12aまたは第2領域12bのいずれかにより高い電荷が生じ、溶液14中で荷電した生体高分子は、より高い電荷密度を有する領域に選択的に吸着され、結晶化する。
請求項（抜粋）：
溶液中に含まれる生体高分子の結晶を成長させるための装置であって、前記溶液に接触させて、結晶を成長させる表面を有する固体部材と、前記溶液およびそれに接触する前記固体部材に、前記溶液から前記固体部材への方向または前記固体部材から前記溶液への方向の電界をかけるための手段とを備え、前記固体部材の少なくとも前記溶液に接触する部分は誘電体で形成されており、前記固体部材は、前記誘電体を介して前記溶液に接触しかつ互いに隣合う、第1領域および第2領域を少なくとも有し、前記電界をかけるための手段を介して所定の電界をかけたとき、前記第1領域の単位面積当たりの静電容量と前記第2領域の単位面積当たりの静電容量とが異なっており、それによって、前記第1領域の表面または前記第2領域の表面のいずれか一方で他方よりも前記結晶の成長が促進される、結晶成長装置。
IPC (3件)：
C30B 29/58
, C30B 7/00
, C07K 1/14
C30B 29/58
, C30B 7/00
, C07K 1/14
4G077AA01
, 4G077BF05
, 4G077CB10
, 4G077EG30
, 4G077EJ01
, 4G077HA20
, 4H045AA20
, 4H045GA40
