半導体量子箱の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池田治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-041029
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062896
出願日： 1991年02月12日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】充分な量子効果が得られる半導体量子箱を簡単に製造できるようにする。【構成】バンドギャップおよび格子定数が共に異なる2種類の半導体GaAsおよびGaAs0.5 P0.5 のうち、バンドギャップが大きいGaAs0.5 P0.5 を結晶成長させて第1半導体障壁結晶層18を形成した後、バンドギャップが小さいGaAsを格子不整合により島状に3次元成長させて半導体箱結晶20を形成し、その後、上記GaAs0.5 P0.5 を再び結晶成長させて第2半導体障壁結晶層22を形成することにより、半導体箱結晶20を3次元的に包み込んだ半導体量子箱を作製する。

請求項（抜粋）：

量子効果が表れる程度に小さい大きさの半導体箱結晶を該半導体箱結晶よりもバンドギャップが大きい半導体障壁結晶により3次元的に包み込んだ半導体量子箱の製造方法であって、バンドギャップおよび格子定数が共に異なる2種類の半導体のうちバンドギャップが大きい方を結晶成長させて第1半導体障壁結晶層を形成する工程と、該第1半導体障壁結晶層の上に、前記2種類の半導体のうちバンドギャップが小さい方を前記半導体箱結晶として島状に3次元成長させる工程と、該半導体箱結晶が島状に形成された前記第1半導体障壁結晶層の上に、該半導体箱結晶が埋没するように前記2種類の半導体のうちバンドギャップが大きい方を再び結晶成長させて第2半導体障壁結晶層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体量子箱の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭51-133085
特開昭61-086241

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